SK Hynix宣布與NVIDIA共同開發下一代AI SSD產品 最快2026年底公開原型

SK Hynix繼與Sandisk合作共同開發基於DRAM堆疊的HBF高頻寬儲存技術後，SK Hynix公開表示已經與NVIDIA合作，開發為AI技術所開發、性能較傳統SSD高出十倍的AI SSD，NVIDIA將其稱為「Storage Next」，而Sk Hynix稱為AI-N P(AI NAND Performance)，雙方已經進入概念驗證階段，預期2026年底公布原型，預期性能可達1億IOPS。

AI戰場從AI模型訓練擴大到推論落地的挑戰

HBM之所以在AI高速運算領域成為不可或缺的一部分，即是受到傳統記憶體是為CPU主導的運算所設計，導致傳輸架構、頻寬會影響GPU等待記憶體傳輸，HBM記憶體透過將DRAM堆疊的方式帶來更高的頻寬與減少延遲，使HBM的資料能高速向GPU傳輸。

不過隨著AI技術逐步發展，除了前端的AI模型訓練以外，AI推論開始落地，使AI推論需求成為新戰場；雖然HBM記憶體可提供高速的傳輸技術，但由於本質是基於揮發性記憶體的DRAM，且容量單位成本高昂，推論技術需要具備更大容量、更具成本效益的方式，也是當前儲存領域開始投入為AI而開發的NAND技術。

SK Hynix已投入三大類AI NAND領域

根據韓國媒體報導，SK Hynix已經積極布局AI NAND技術，包括與NVIDIA共同開發的AI-N P(Storage Next)，與Sandisk合作的AI-N B(HBF)以外，還有一款著重具HDD級大容量與SSD性能的高成本效益的AI-N D。

AI-N P是為了確保處理大規模推論巨量資料輸出與輸入核心技術，盡可能減少AI運算與儲存間的瓶頸，提升處理速度與能源效率，據稱SK Hynix將為此開發新架構的NAND以及控制器。

至於與Sandisk合作的HBF，將由Sandisk提供快閃記憶體設計與大容量NAND技術，以SK Hynix的VFO技術將DRAM及NAND進行堆疊封裝(據稱採用16層DRAM與NAND堆疊封裝)，使HBF能夠提供較傳統NAND更高的頻寬，並作為HBM技術的互補。